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典范GaN射频器件的工艺流程

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典范的GaN射频器件的加工工艺主要包罗如下环节:外延生长-器件断绝-欧姆接触(制作源极、漏极)-氮化物钝化-栅极制作-场板制作-衬底减薄-衬底通孔等环节。

外延生长

接纳金属氧化物化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)方法在SiCSi衬底上外延GaN质料。

器件断绝

接纳离子注入大概制作台阶(去撤除沟道层)的方法来实现器件断绝。射频器件之间的断绝是制作射频电路的根本要求。

欧姆接触

形成欧姆接触是指制作源极和漏极的电极。对GaN质料而言,制造欧姆接触需要在很高的温度下完成。

氮化物钝化

在源极和漏极制作完成后,GaN半导体质料需要经过钝化历程来消除悬挂键等界面态。GaN的钝化历程通常接纳SiN(氮化硅)来实现。

栅极制作

SiN钝化层上开口,然后沉积栅极金属。至此,根本的场效应晶体管的结构就成型了。

场板制作

栅极制作完成后,继承沉积特别的几层金属和氮化物,来制作场板、互连和电容,别的,也可以掩护器件免受外部情况影响。

衬底减薄

衬底厚度减薄至100μm左右,然后对减薄后的衬底背部进行金属化。

衬底通孔

通孔是指在衬底上外貌和下外貌之间刻蚀出的短通道,用于低落器件和接地(底部金属化层)之间的电感。

出处:www.qorvo.com



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